LP50N06E2 中低压P沟道场效应管MOSFET -60V LRC无线电

四川华芯高工电子有限公司为您提供lp50n06e2 中低压p沟道场效应管mosfet -60v lrc无线电。       lrc/乐山无线电 全新原厂中低压高频功率控制开关管 p沟道场效应管，-60v，-50a，13毫欧，p-channel；贴片式中低压mosfet：lp50n06e2/50n06e2；漏源电压vds：-60v；电流id：-50a；内阻rds(on)：13毫欧；封装方式：to-263-2l；小包装数量：800pcs/盘-编带。




      本品采用内置大尺寸芯片，，具有适应中低电压低内阻高频恢复快等电气特性特点。通用于电源、电器、适配器、充电器、充电桩、工控、工业特种电源、高频电源、风光储新能源、逆变器、伺服电机马达等产品电路作控制、开关、整流、放大、钳位、防反接、防逆回流等作用。lrc大芯片中低电压大电流低内阻低漏电的分立式功率整流晶体开关管lp50n06e2/50n06e2。










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