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整流桥堆,肖特基二极管,快恢复二极管,mosfet,ig

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四川华芯高工电子有限公司

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    信息标题   LN95N03SD2 贴片低压场效应管MOSFET 30V 64A LRC无线电
           lrc/乐山无线电 全新原厂低压高频功率控制电子开关管 n沟道场效应管30v、64a、3.4毫欧姆、n-channel、贴片式低压mosfet：LN95N03SD2/95N03S；漏源电压vds：30v；电流id：64a；内阻rds(on)：3.4毫欧；封装方式：to-252-2l；
    信息标题   LN80N30D2 贴片低压场效应管MOSFET 30V 27A LRC无线电
           lrc/乐山无线电 全新原厂低压高频功率控制电子开关管 n沟道场效应管30v、27a、4毫欧姆、n-channel、贴片式低压mosfet：LN80N30D2；漏源电压vds：30v；电流id：27a；内阻rds(on)：4毫欧；封装方式：to-252-2l；小包装数量：2500pcs
    信息标题   LN80N03D2 贴片低压场效应管MOSFET 30V 50A LRC无线电
           lrc/乐山无线电 全新原厂低压高频功率控制电子开关管 n沟道场效应管30v、50a、8毫欧姆、n-channel、贴片式低压mosfet：LN80N03D2/80N03；漏源电压vds：30v；电流id：50a；内阻rds(on)：8毫欧；封装方式：to-252-2l；小包装数量：2
    信息标题   LN70N04D2 贴片低压场效应管MOSFET 40V 70A LRC无线电
           lrc/乐山无线电 全新原厂中低压高频功率控制电子开关管 n沟道场效应管40v、70a、6.5毫欧姆、n-channel、贴片式中低压mosfet：LN70N04D2/70N04；漏源电压vds：40v；电流id：70a；内阻rds(on)：6.5毫欧；封装方式：to-252-2l；
    信息标题   LN96N06D2 贴片中低压场效应管MOSFET 60V 130A LRC
           lrc/乐山无线电 全新原厂中低压高频功率控制电子开关管 n沟道场效应管60v、130a、2.6毫欧姆、n-channel、贴片式中低压mosfet：LN96N06D2/96N06；漏源电压vds：60v；电流id：130a；内阻rds(on)：2.6毫欧；封装方式：to-252-2
    信息标题   LN63N06D2 贴片中低压场效应管MOSFET 60V 63A LRC
           lrc/乐山无线电 全新原厂中低压高频功率控制电子开关管 n沟道场效应管60v、63a、9毫欧姆、n-channel、贴片式中低压mosfet：LN63N06D2/63N06；漏源电压vds：60v；电流id：63a；内阻rds(on)：9毫欧；封装方式：to-252-2l；小包装数
    信息标题   LN30N06D2 贴片中低压场效应管MOSFET 60V 30A LRC
           lrc/乐山无线电 全新原厂中低压高频功率控制电子开关管 n沟道场效应管60v、30a、17.5毫欧姆、n-channel、贴片式中低压mosfet：LN30N06D2/30N06D2；漏源电压vds：60v；电流id：30a；内阻rds(on)：17.5毫欧；封装方式：to-252
    信息标题   LN26N06D2 贴片中低压场效应管MOSFET 60V 26A LRC
           lrc/乐山无线电 全新原厂中低压高频功率控制电子开关管 n沟道场效应管60v、26a、30毫欧姆、n-channel、贴片式中低压mosfet：LN26N06D2/26N06；漏源电压vds：60v；电流id：26a；内阻rds(on)：30毫欧；封装方式：to-252-2l；小包
    信息标题   LN16N06D2 贴片中低压场效应管MOSFET 60V 16A LRC
           lrc/乐山无线电 全新原厂中低压高频功率控制电子开关管 n沟道场效应管60v、16a、60毫欧姆、n-channel、贴片式中低压mosfet：LN16N06D2/16N06；漏源电压vds：60v；电流id：16a；内阻rds(on)：60毫欧；封装方式：to-252-2l；小包装
    信息标题   LN80N08D2 贴片中低压场效应管MOSFET 80V 80A LRC
           lrc/乐山无线电 全新原厂中低压高频功率控制电子开关管 n沟道场效应管80v、80a、6.5毫欧姆、n-channel、贴片式中低压mosfet：LN80N08D2/80N08D2；漏源电压vds：80v；电流id：80a；内阻rds(on)：6.5毫欧；封装方式：to-252-2l
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